Especificaciones Técnicas
Actualizar a Activo/Actualizar Tiempo de comando (tRFCmin): 260ns (min.)
Arquitectura: Non-ECC
Calibración interna (auto): Calibración automática interna a través del pin ZQ (RZQ: 240 ohmios ± 1%)
Capacidad: 4 GB
CL(IDD): 11 ciclos
Clasificación UL: 35ns (min.)
Descripcion: ValueRAM de 512 M x 64 bits (4 GB) DDR3L-1600 CL11 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx8, bajo voltaje, módulo de memoria, basado en ocho FBGA de 512M x 8 bits componentes El SPD está programado según el estándar JEDEC latencia DDR3-1600 temporización de 11-11-11 a 1,35 V o 1,5 V. Este SODIMM de 204 pines utiliza dedos de contacto dorados
Frecuencia: 1600MHz
Fuente de alimentación estándar EDEC: 1,35 V y 1,5 V
Garantia: De por vida
Latencia aditiva programable: 0, CL - 2 o CL - 1 reloj
Latencia CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5
Longitud de ráfaga: 8 (Intercalado sin límite, secuencial con inicio dirección ?000? solamente), 4 con tCCD = 4 que no permite leer o escribir [ya sea sobre la marcha usando A12 o MRS]
Marca: KINGSTON
Modulo de memoria: SODIM
Otros: 800 MHz fCK para 1600 Mb/seg/pin 8 bancos internos independientes Terminación en dado usando pin ODT Restablecimiento asíncrono PCB: Altura 1,18? (30 mm), componente de doble cara Libre de plomo Cumple con RoHS
RAM: DDR3L
Temperatura de almacenamiento: De -55°C hasta mas de 100°C
Temperatura de funcionamiento: De 0°C a mas de 85°C
Tiempo activo de fila (tRASmin): 26.25ns(min.)
Tiempo de ciclo de fila (tRCmin): 48.125ns (min.)
VDDQ: 1.35V y 1.5V
Voltage: 1.35V
